IT IT HOME 5月22日，SK Hynix今天宣布，该公司已成功开发了UFS 4.1，这是一种手机解决方案产品，配备了前321层1TB（Terbit）TLC（三级单元格）4D NAND NAND闪存。 SK Hynix说：“为了在移动设备上实现稳定的设备AI操作，NAND闪存解决方案的产品必须具有高性能和低电消耗属性。依靠为AI工作负载优化的UFS 4.1产品，该公司将进一步将其在国旗船上的智能手机市场与智能手机市场相结合。”据报道，随着对终端AI的需求不断增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡变得至关重要，超薄的设计和低功耗已成为移动设备的工业标准。根据这一趋势，与上一代238--相比，公司此时开发的新产品提高了7％层NAND闪存。同时，产品厚度成功地从1mm降低到0.85mm，使其适用于超薄智能手机。家庭询问发现，该产品支持第四代UFS产品的连续阅读，数据传输速率高达4300MB/s。移动设备多任务的多任务功能的随机读取速度比上一代产品高15％和40％，在现有UFS 4.1产品中达到了全球领先水平。该产品可用于512GB和1TB容量规格。公司计划今年在明年第一季度验证和正式进入大规模生产的过程中向客户提供样品。